内存崩溃，高盛：谁高位接盘了美股科技？

长鑫科技宣布其4F² DRAM架构研发取得关键进展，预计年底推出新一代DDR5 RDIMM产品。这一创新通过架构调整而非制程微缩提升密度，对SK海力士和三星等全球存储三巨头构成重大威胁。与此同时，内存市场崩溃，高盛指出投机性资金在纳斯达克期货多头仓位达到一年高位后遭到止损，导致全球半导体市场动荡。具体而言，长鑫科技的技术突破使高盛内存及AI半导体篮子指数从6月底的2675点峰值回落到1900点。