Micron 下一代 3D NAND 将双层密度提升至400层

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Micron 下一代 3D NAND 将双层密度提升至400层

Micron G11 3D NAND承诺达到42 Gb/mm²和5,400 MT/s接口速度，实现极端容量与性能。

2026-10-23

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