台积电拟进军 3D DRAM 制造

台积电正评估扩大先进存储芯片生产，以争取更多人工智能基础设施投资。台积电应英伟达要求，已开始制定生产垂直堆叠3D DRAM的计划。

科技媒体《The Information》报道，台积电正考虑扩大业务版图，进军先进内存芯片制造，以在快速扩张的 AI 硬件供应链中获取更大份额。报道提到，台积电已应英伟达要求开始规划生产名为“3D DRAM”的先进内存芯片，该架构通过垂直堆叠存储单元提升容量，被视为应对 AI 算力需求的关键方向。台积电正在评估兴建专用

台积电正考虑拓展先进内存芯片制造领域，近期已着手制定 3D DRAM 的生产计划，以响应其最大客户英伟达的需求。3D DRAM 可将内存单元垂直堆叠以容纳更多内存，不同于传统单层布局的 DRAM。

2026-11-06RReadHubreadhub.cn社区验证/反驳

台积电正在考虑生产3D DRAM，以满足英伟大的需求，扩大在人工智能硬件供应链中的市场份额。