长鑫科技完成第六代 DRAM 验证
← 返回今日版面来源
5 条长鑫科技基于4F²架构的第六代技术平台DRAM完成工程样片验证，国内存储厂商有望受益新一轮存储景气周期。
长鑫科技在第三季度业绩交流会中宣布，基于4F²垂直沟道DRAM架构，第六代工艺技术平台已完成工程样片验证。这是长鑫首次公开第六代工艺技术平台的架构基础。
长鑫科技基于4F²架构实现第六代DRAM工程样片验证，每片晶圆产出提升50%，为LPDDR6量产和DDR5技术迭代奠定基础。
长鑫科技基于4F²架构的第六代DRAM技术平台完成工程样片验证，公司首次官宣该代平台采用4F²架构。长鑫在4F²工程化推进上处于全球前列，预计今年年底推出融合该技术的首代DDR5 RDIMM产品送样，优先落地服务器等高附加值领域。
长鑫科技在4F²架构基础上完成第六代DRAM工程样片验证，标志着核心性能指标在真实晶圆上达到设计预期。