美光推进 DRAM 晶圆键合技术

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Micron 计划使用晶圆键合和高 NA EUV 进行下一代 DRAM

Micron拒绝4F2结构，计划在3D NAND技术之前采用晶圆键合和高NA EUV。

2026-10-26

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