三星将采用台积电 3nm 制程为英伟达生产 HBM 基底裸片
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2026-10-18
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台积电控股的日本合资企业 JASM 第二晶圆厂获日本经济产业省批准，转产 3 纳米芯片。
2026-10-19
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三星计划使用台积电3纳米工艺为英伟达生产下一代定制HBM基底裸片。英伟达要求供应商统一制造工艺以确保性能一致性，已指定三星、SK海力士和美光采用台积电3纳米工艺。此合作标志着三星首次参与HBM制造。
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3 条三星计划使用台积电3纳米工艺为英伟达生产下一代定制HBM基底裸片。英伟达要求供应商统一制造工艺以确保性能一致性，已指定三星、SK海力士和美光采用台积电3纳米工艺。此合作标志着三星首次参与HBM制造。
三星电子计划采用台积电 3 纳米制程为英伟达下一代定制 HBM 芯片生产基底裸片。这是三星首次在 HBM 制造阶段与台积电合作。
