三星8纳米工艺再延续一代：8LPU+年内推出，主攻汽车与边缘 AI 芯片
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2026-10-18
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一名韩国芯片工程师指控特斯拉施压三星，就AI5和AI6的定价问题进行不当干预，并试图吸引三星的技术人才加入其Terafab项目。
2026-10-19
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三星计划采用台积电3纳米工艺生产英伟达下一代定制高带宽内存（HBM）基底裸片。英伟达要求供应商统一制造工艺以确保性能一致性，已要求三星、SK海力士和美光采用台积电3纳米工艺。此举标志着三星首次与台积电在HBM制造阶段合作。
2026-10-20
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三星计划将8纳米工艺延续一代，用于车载、机器人和边缘AI芯片，以高效盘活现有深紫外产线，避免使用昂贵的极紫外光刻机。
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3 条三星计划将8纳米工艺延续一代，用于车载、机器人和边缘AI芯片，以高效盘活现有深紫外产线，避免使用昂贵的极紫外光刻机。
三星计划采用台积电3纳米工艺生产英伟达下一代定制高带宽内存（HBM）基底裸片。英伟达要求供应商统一制造工艺以确保性能一致性，已要求三星、SK海力士和美光采用台积电3纳米工艺。此举标志着三星首次与台积电在HBM制造阶段合作。
一名韩国芯片工程师指控特斯拉施压三星，就AI5和AI6的定价问题进行不当干预，并试图吸引三星的技术人才加入其Terafab项目。